12代酷睿诞生以来,除开CPU本身,最受关注的莫过于在先进协议上的革命,其一是全面支持PCIe5.0协议,为下一代的显卡和存储器提供了普及接口;其二便是全面引入新一代的DDR5内存协议,打破了多年来内存产品性能和体验的“停滞不前”,引发新一轮的内存浪潮。
关于前者,鉴于尚未出现消费级PCIe5.0相关这类的产品,在此略过。今天,重点聊聊被誉为“内存行业革命”的DDR5内存。
关于DDR5内存,大多数用户的直观感受便是频率的提升,即由DDR4内存2133MHz起步频率,倍增至4800MHz,甚至根据一手消息DDR5内存后续频率甚至达到6000MHz以上水准。仅从数值观感上而言,DDR5确实可以称为一次内存技术的大飞跃大革命,除开数值刺激,从技术角度,DDR5内存主要有以下五大技术升级,其中最后一个出乎意料。
DDR5最耀眼的技术升级,都是大家最可以感觉到的等效频率的提升,直接从“2133MHz”跨越式增长至“4800MHz”,甚至随着当下DDR5内存调参的深入,6400MHz或将成为主流水平。
频率的提升,使得DDR5内存在理论跑分上有了质的飞跃,无论是在读取测试、写入测试,还是复制、延时方面,从跑分结果而言,DDR5无疑是超前,提升更是巨幅的。
这也是众多用户,对于DDR5内存的第一印象,也是最易接受的技术创新,即频率提升带来的跑分提升,让计算机在理论上能够“跑得更快”了。
内存的DRAM容量也是此次DDR5内存技术提升的重点方向,在JEDEC的DDR4规范中,单颗内存Die最大容量只有16Gb,而到了DDR5时代,单颗Die的容量上到64Gb的高度。
换句线GB可能便是消费级内存的容量天花板了,可进入DDR5时代,标准规范的提升,制程工艺和内部设计的冗余,使得单条32GB成为业界主流标准,甚至于后续单条64GB,乃至于单条128GB,都将成为可能。
当然了,以上容量规格的诞生,还需要DDR5技术进一步升级和优化,以及消费用户的接受程度,是一个漫长的革新过程;但标准协议的诞生,便是内存容量扩充的积极信号。
如果说容量和性能的倍增是最显著的技术升级,那么接下来的内部技术的升级和纠正,则是在更深维度进行了迭代优化。
DDR5内存工作电压低至1.1V,对比DDR4最低1.2V的工作电压,实现了20%左右的降低,它的降低拥有两个重要意义。
其一是功耗方面,尤其是对于笔记本产品,以及企业级服务器产品而言,20%的功耗降低,具有非常明显的节能意义;其二是超频潜能,起始电压的降低,使得后续进行超频调参有了更大的可操作空间,能逐步提升内存的超频潜能。
实际上,随着晶圆光刻技术一直在改进,DRAM芯片密度逐步的提升,导致数据泄露、数据校正、数据出错的可能性加大。尤其是在企业级应用场景下,为了尽最大可能避免数据错误的频繁发生,业界便引入ECC纠错机制,从而规避风险,提高可靠性并降低缺陷率。
而全新DDR5内存,为了进一步稳定数据传输和校正,迎入了一项类似企业级应用场景的On-die ECC纠错机制,该机制能够动态纠正数据单位错误,或是数据编码错误,为用户日常应用的稳定性,提供技术保障,这是企业级技术下放到消费级场景的一次大胆尝试,也是DDR5内存极具创新的重要产品升级。
05双32位寻址通道 单通道变双通道延迟更低、效率倍增
最后一项重要技术升级,便是双32位寻址通道的引入,其基础原理是将DDR5内存模组内部64位数据带宽,分为两路带宽分别为32位的可寻址通道,从而有效的提高了内存控制器,进行数据访问的效率,同时减少了延迟。
所以我们大家可以看到,单条DDR5内存插入电脑后,部分专业软件甚至直接识别为双通道内存,便是由于DDR5内存模组激进的将“64位单通道”化为“独立32位双通道”的技术创新;当然这种双通道设计,和常规意义上的双通道还是存在相当区别,并不能和传统意义上的两条内存组成双通道作对比,其提升的效果也视应用场景有着一定性能差异。
但总的来说,双32位寻址通道的引入,对于寻址性能和延迟降低,有着显著提升作用,DDR5总体性能的跃升某一种意义上和该技术有着千丝万缕的联系。
DDR5内存自从去年开始展露头角,就一直深处风口浪尖,新技术的到来,必然会引发旧产品的脱节,新旧产品、新旧技术的更迭和换代,是科技行业无时无刻不在发生的必然事件。
对于从业者而言,快速了解和接纳新技术新工艺,是继续的根本;对于消费者而言,新技术能不喜欢不看好,却无法不接受,深处技术时代的你我,挡不住也躲不了,你说呢?